经过半个多世纪的发展，基于硅材料的功率半导体器件的性能 已经接近其物理极限，硅基半导体的性能已无法完全满足 5G 通信和 高效新能源汽车等电动化交通以及航天、军工等的需求，SiC 和 GaN 等第三代宽禁带功率半导体的优势被放大。且最近几年，随着 材料科学技术的快速发展，SiC 和 GaN 等宽禁带半导体材料的关键 技术问题得到了根本性质的突破，故在 5G 和新能源汽车等新市场 需求的驱动下，第三代宽禁带功率半导体材料有望迎来加速发展。
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